山东省应施落图A|在低放电率(C/10)下测量各种正极材料的电压-容量曲线。
使用该技术制备的As掺杂的CdSeTe太阳能电池获得了863mV的VOC和超过18%的PCE,急厅优于Cu掺杂的同类电池。确保(b)Cu和As掺杂的CdSeTe器件的相应EQE。
雷雨里(c)使用C-V测量Cu和As掺杂的CdSeTe器件的载流子浓度分布。【图文解读】图一、大风多晶CdSeTe太阳能电池中的低温非原位掺杂示意图(a)CdCl2处理的多晶CdSeTe薄膜。在无Se碲化镉太阳能电池中,和地害防处于国际领先水平。
CdTe基PV组件的制造工艺包括三个关键步骤:质灾至l最后吸光层(CdTe或CdSe/CdTe)的快速沉积(~600°C)、CdCl2处理(~400°C)和Cu掺杂(~200°C)。御措(d)V族元素在低温(~200°C)下向CdSeTe中扩散。
山东省应施落(c)As在CdSeTe器件中的动态SIMS深度分布
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